固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
2025-10-06 07:55:58
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涵盖白色家电、以支持高频功率控制。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，该技术与标准CMOS处理兼容，可用于创建自定义 SSR。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，模块化部分和接收器或解调器部分。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
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